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SSDI 新品集锦


一、300V硅肖特基二极管

SSR08300S.22系列 :8A,300V   

 -极小占地面积:0.150 x 0.227英寸

 -极低的VF:0.99 V typ(@8 A,25°C)

 -密封表面贴装

 -低热阻:2.5°C/W typ




SED20HB300系列: 20 A,250-300 V   

-极低的VF:0.85 V typ(@20 A,25°C)

-低IR:5uA typ(@25°C)

-密封封装、低断面、表面贴装


SED40HE300CT系列 :40A,300V,Centertap

-密封封装、低断面、表面贴装(比T0-25X封装更小的占地面积)

-提供了带散热片和隔离两种形式封装



二、低漏电流肖特基二极管

SSR4015S.5系列40 A,100-150 V

-低正向电压降:0.79V typ(@40 A,25°C)

-极低反向漏电流:0.4 uA typ(@25°C)

-密封表面贴装



SED150LB100LL  150 A, 100 V

-低正向电压降:0.85V typ(@150 A,25°C)

-极低反向漏电流:0.07mA typ(@25°C)

-密封封装、低断面、表面贴装



三、JANTX/JANTXV/JANS1N7068系列

10 A,100-200 V超快速恢复二极管

-密封封装

-超快速反向恢复:30 ns max

-高浪涌电流:350 A max

-低正向电压降:0.95 V max @ 10A



四、JANTX/JANTXV/JANS1N5811系列:

6A,50-150V,30 ns超快速恢复二极管业界唯一可焊接实心银导线的1N5811

-超快速反向恢复

-低正向电压降

-密封封装

-无空隙陶瓷熔块玻璃结构


五、1N8255-1N8257系列:

4-6 A,100-200 V超快速恢复二极管

-密封封装

-超快速反向恢复:30ns max

-低反向漏电流:2uA max(@25°C)

-超小型替代 1N5807-1N5811



六、1N8261-1N8263系列(SDR20CHF-SDR20EHF):

20 A,150-250V超快速恢复二极管

-超快速反向恢复:30ns typ

-低正向电压降:0.92V typ(@20 A,25°C)

-低反向泄漏:0.2uA typ(@25°C)

-高浪涌电流:400A max

-密封封装

-无空隙陶瓷熔块玻璃结构

-替代DO-4较大封装的二极管产品

-低热阻



七、SGF48N10和SGF48N20系列

40-48A,100-200V,6-16mΩ GaN功率场效应管

-第4代氮化镓技术

-非常快速的开关切换适用于高频应用

-极低的RDS(ON)

-低Qg简化的门驱动电路

-低热阻

-密封封装



八、密封、高压氮化镓功率场效应晶体管

SGF43E70-28:43A,700V,45mΩ

SGF46E70M/S1:46A,700V,30mΩ 

SGF15E100J:15A,1000V,160mΩ

-结合了氮化镓HEMT和低压硅   MOSFET(Cascode)的卓越性能

-非常快速的开关切换适用于高频应用

-可在通用的门驱动下工作

-低Rds(on)

-低 Qg简化的门驱动电路

-低热阻

-可用于常开模式(无Si MOSFET驱动器)




九、SPD5550-SPD5554系列

5 A,200-1000 V标准恢复二极管

-低反向漏电流:5uA max(@25°C)

-可替换1N5550-1N5554系列

-密封封装

-扁平引线封装特点:实心银导线、提供应力消除(可自定义)、非常适合焊接到汇流条

-典型应用:在光伏太阳能电池板上用做阵列旁路二极管,阻塞二极管



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