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密封型SiC SCHOTTKYS & MOSFETS





SiC技术的优势

区别于Si 和GaAs:

SiC技术远远超出了传统硅和GaAs整流器的性能,提供了比GaAs整流器更低的开关损耗和更高的开关频率,以及更高的工作电压。

 

SiC可提高极端条件下的性能:

使用SiC,您可以满足最苛刻的设计需求:更坚固,更小巧,更可靠的设计,能够承受热量,辐射并能在极端环境条件下生存。

 

SiC降低了复杂性、降低了系统成本:

SiC允许应用程序在高开关频率下运行,而无需复杂的谐振开关电路或缓冲电路,从而消除了对大型散热器和冷却风扇的需求。这降低了系统成本,提高了性能和可靠性。



特征

▪ 电击穿10X Si和GaAs

▪ 最高可在300℃的温度下工作而无开关损耗

▪ 热导率3X Si和10x GaAs

▪ 可以轻松并联以获得更高的电流(由于正温度系数和可忽略的反向恢复时间,因此无需与SiC产品匹配)

 

SSDI HiRel SiC产品的优势

▪ 密封SiC SCHOTTKY的早期支持者

▪ 传统包括航空/航天飞行应用领域

▪ 高功率/高压能力:

- SiC SCHOTTKY:高达100 A,1700 V

- SiC MOSFET:高达85 A,1700 V


▪ 设计灵活性:

- 确定关键电气参数以满足任务的特定要求

- 桥组件/功率模块的开发


▪ 密封封装/封装的灵活性:

- 从高密度,表面贴装到传统的TO-25x和螺柱安装的封装,各种密封封装可供选择

- 内部机器车间/工具功能提供包修改以满足任务要求

 

▪ 高可靠性筛选:

- 可提供TX,TXV和S级筛选

- 基于MIL-PRF-19500(可根据要求提供筛选流程)




SSR12C50S.22 - SSR12C60S.22  

12 A, 500 - 600 V SiC Schottkys

▪ 无恢复时间(tFR或tRR)

▪ 切换时间不随温度变化

▪ 低正向压降

▪ 低反向漏电流

▪ 密封表面贴装封装

▪ 占地面积小(0.157" W x 0.227" L x 0.075" H)

SSR240CTJ系列

24 A,300-600 V中心轴头SiC Schottkys

▪ 很高的工作温度:250°C

▪ 无恢复时间(tFR或tRR)

▪ 密封、隔离封装

▪ 大电流应用

▪ 提供共阴极(CT)和共阳极(CA)配置

SPA555系列

25A,1000-1200 V SiC Schottky 1φ桥

▪ 无恢复时间(tFR或tRR)

▪ 切换时间不随温度变化

▪ 小尺寸封装:(1.25" W x 1.25" L x 0.35" H,不包括端子)

▪ 提供带有铝制散热器的外壳

▪ 端子选项:转台、铜引线和表面贴装





用于高可靠性航空航天和国防应用:

▪ 高压电源

▪ 开关

▪ 功率控制



SFC35N120系列

26-30A,1200V,30ns typ SiC MOSFETS

▪ 快速切换,低电容

▪ 低RDS(ON)=80 mΩ typ

▪ 易于并联,易于驱动

▪ 增强型N-沟道

SFC57N170S1

57A,1700V,70mΩ SiC MOSFETS

▪ 快速切换,低电容

▪ 低RDS(ON)=45 mΩ typ

▪ 易于并联,易于驱动

▪ 增强型N-沟道

▪ 密封功率封装:SMD1(S1),带引线的SMD1(S1L)

SFC85N90S1

85A,900V,17mΩ SiC MOSFETS

▪ 快速切换,低电容

▪ 低RDS(ON)=13 mΩ typ

▪ 易于并联,易于驱动

▪ 增强型N-沟道

▪ 密封功率封装:SMD1(S1),带引线的SMD1(S1L)



SiC MOSFETs

用于高可靠性航空航天和国防应用

▪ 高压DC-DC转换器

▪ 开关电源

▪ 太阳能逆变器

▪ 电机驱动

▪ 脉冲功率应用



用于需要更快开关能力的航天和国防应用,可考虑SSDI的密封GaN功率FET:

▪ 密封高压GaN解决方案:40-1000 V

▪ 8 W - 50 W, 6.3 A - 90 A


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