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新型 30V N沟道 MOSFET 提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效

Vishay Siliconix SiSS52DN

  Vishay 推出多功能新型 30 V n 沟道 TrenchFET® 第五代功率 MOSFET,提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效。

- 器件采用 PowerPAK®1212‑8S 封装

- 导通电阻低至 0.95 mΩ

- 优异的 FOM 仅为 29.8 mΩ*nC

  Vishay Siliconix SiSS52DN 采用热增强型 3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S 封装,10 V 条件下导通电阻仅为 0.95 mΩ,比上一代产品低 5 %。此外, 4.5 V 条件下器件导通电阻为 1.5 mΩ,而 4.5 V 条件下导通电阻与栅极电荷乘积,即 MOSFET 开关应用重要优值系数(FOM)为 29.8 mΩ*nC,是市场上优值系数最低的产品之一。SiSS52DN 的 FOM 比上一代器件低 29%,从而降低导通和开关损耗,节省功率转换应用的能源。

  SiSS52DN 适用于同步整流、同步降压转换器、DC/DC 转换器、开关柜拓扑结构、OR-ring FET 低边开关,以及服务器、通信和 RF 设备电源的负载切换。MOSFET 可提高隔离和非隔离拓扑结构的性能,简化设计人员两种电路的器件选择。器件经过 100 % RG 和 UIS 测试,符合 RoHS 标准,无卤素。


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