SSDI最新的密封GaN FET器件SGR15E90M在输入端使用GaN FET代替硅MOSFET，以增强抗辐照性能。SGR15E90M的共源共栅器件结构包括输出端的高压耗尽型GaN FET和输入级的低压增强型GaN FET。输入端的GaN FET提供+6至-4 V的栅源电压，并且由于氮化镓本身具有比SI MOSFET更高的抗辐照性能。SSDI为高可靠性航空航天和国防应用提供最高电压的密封GaN FETs for产品最高可达1000 V)。凭借其增强的辐射耐受性，SGR15E90M是空间应用(近地和深空)的理想选择，如DC-DC / PoL转换器、电机控制器和开关模式电源。SGR15E90M目前采用TO-254封装。同样，SSDI可以满足客户的设计规格完成产品的具体封装。

特性
• 第三代氮化镓技术
• 结合 HV 耗尽模式 GaN 和 LV 增强模式 GaN 驱动器（共源共栅）以获得卓越的性能
• 固有的辐射耐受性
• 低 RDS(on)
• 低 Qg 简化了栅极驱动电路
• 用于高频应用的非常快速的开关
• 低热阻
• 密封封装
• TX、TXV 和 S 级筛选可用

SGR15E90M有着15A和900V。它栅极电荷典型值为10 nC，RDS(on)典型值为160mω。与传统硅MOSFETs相比，这些器件具有低品质因数、低传导损耗和低交越损耗，可以实现更快的开关速度和更高的效率。